判断题 ‍通常的内建电势小于禁带宽度对应的电压值。

判断题 ​冶金结附近的空间电荷是由p型一侧电子和n型一侧空穴的积累引起的。

判断题 ‎P沟道的短沟道MOSFET 更容易发生横向双极击穿。