判断题
通常称在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺为正向外延,反之称为反向外延。
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判断题 PSG高温回流需要的温度要比BPSG高。
判断题 LPCVD多晶硅和氮化硅等薄膜易形成保形覆盖,在低温APCVD中,非保形覆盖一般比较常见。
判断题 相同掺杂浓度下,多晶硅的电阻率比单晶硅的电阻率高得多。