单项选择题
热氧化生长200微米的二氧化硅,氧化前硅片至少多厚()
A.200B.88C.100D.56
单项选择题 界面陷阱电荷解决方法是()
单项选择题 在半导体生产中,常常采用的氧化方式是“干-湿-干”氧化,湿氧氧化的作用是()
单项选择题 氧化层上表面的二氧化硅是()生长的。