单项选择题 P-Sub的理想MOS结构在耗尽状态时，半导体表面空间电荷区的电荷主要是（），此时半导体表面（）导电。

单项选择题 MOS晶体管的（）可以用来表征栅电压对其沟道电流的控制能力，其值越（），则表示这种控制能力也越强。

单项选择题 已知Si中掺有硼杂质，且掺杂浓度为1017/cm3，则这是（）型半导体，该半导体的费米能级在禁带中线的（）