填空题
光刻中影响甩胶后光刻胶膜厚的因素有（）、（）、（）、（）。
溶解度；温度；甩胶时间；转速
填空题 常规硅集成电路平面制造工艺中光刻工序包括的步骤有（）、（）、（）、（）、（）、（）、（）等。
填空题 特大规模集成电路（ULIC）对光刻的基本要求包括（）、（）、（）、（）、（）等五个方面。
填空题 硅气相外延的硅源有（）、（）、（）、（）等。
