填空题
硅气相外延的硅源有（）、（）、（）、（）等。
四氯化硅（SiCl4）；三氯硅烷（SiHCl3）；二氯硅烷（SiH2Cl2）；硅烷（SiH4）
填空题 根据向衬底输送原子的方式可以把外延分为：（）、（）、（）。
填空题 CVD过程中化学反应所需的激活能来源有（）、（）、（）等。
填空题 常用的溅射镀膜气体是（），射频溅射镀膜的射频频率是（）。
