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集成电路技术综合练习

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单项选择题

亚阈值电流的大小和晶体管的过驱动电压VGS-VT成()关系。

A.指数
B.平方
C.线性

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多项选择题 下列参数变化会引起NMOS晶体管阈值电压降低的是()。

多项选择题 根据下图所示的MOS管版图,可知下列几个寄生电容与沟道宽度W成正比的有(粉色为多晶硅层,绿色为有源区层,黑色为接触孔层,深绿色为金属层)()。

单项选择题 下图是短沟增强型NMOS管的一阶手工分析模型的源漏电流-源漏电压关系图,L1、L2和L3三条虚线把晶体管的工作区划分为三个区域(分别用I、II、III表示),它们分别对应线性区(电阻区)、速度饱和区和饱和区。下列工作区名称对应关系正确的是()。

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