问答题
CMOS工艺中为什么要形成侧墙？在哪一个工艺环节形成及为什么？并说明其形成步骤及主要作用。
步骤：1）淀积二氧化硅2）二氧化硅反刻作用：用来环绕多晶硅栅，作为n+和p+源漏注入......
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问答题 什么是阱？CMOS工艺中阱的作用是什么？试说明CMOS双阱工艺中的阱是如何形成的？
问答题 试说明NMOS和PMOS的源漏是如何形成的及为什么？
问答题 试说明MOS工艺中存在的自对准结构及他们的主要优点。
