问答题
试说明NMOS和PMOS的源漏是如何形成的及为什么？
LDD技术（轻掺杂漏注入技术）结构：在沟道的漏端及源端增加低掺杂区。LDD使用的较大质量的掺杂材料使硅片的上表面成为非晶......
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问答题 试说明MOS工艺中存在的自对准结构及他们的主要优点。
问答题 什么是硅栅自对准技术？简单说明其主要制作步骤和主要优点。
问答题 试说明在CMOS工艺中主要采用的器件隔离技术，并说明每种工艺技术的主要特点和适用范围。
