多项选择题
关于临界饱和比正确的说法有（）
A.将成核率I＝1cm-1S-1对应的饱和比（或过冷度）称为临界饱和比。B.随饱和比增加，在接近临界饱和比之前，成核率大体上保持为零C.达到临界饱和比时，小晶体会以不连续的方式突然出现D.临界饱和比现象是由于成核率与驱动力之间满足指数规律的缘故
单项选择题 界面压力的大小决定于（）
多项选择题 晶体生长大致可以分为晶核的（）两个阶段。
多项选择题 降温法生长关键控制技术包括（）等。
