判断题
离子注入掺杂可以单独控制杂质浓度和结深，而扩散掺杂却不行。
正确
判断题 扩散和离子注入都可以实现半导体掺杂，所以可以任意选择。
判断题 固-固扩散是利用晶圆表面含有所需杂质的氧化层作为杂质源进行扩散的方法。
判断题 使用化学腐蚀法检查针孔时，硅表面的腐蚀坑数目就是二氧化硅的针孔数目（）
