问答题
简述3.0μm CMOS集成电路工艺技术工艺流程。
①双阱工艺：备片→初氧氧化→光刻N阱区→N阱磷注入→刻蚀初氧层→光刻P......
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问答题 简述CMP技术的优点。
名词解释 化学机械平坦化（CMP）
问答题 简述什么是硅化物及其作用。
