问答题
热生长厚度是2000A的氧化层后,Si-SiO2的界面与原来的硅表面的高度差为多少?为什么?
氧化中硅消耗的厚度占总氧化物厚度的46%,即意味着每生长1000A的氧化物,就有460A的硅被消耗。 920A
问答题 什么是掺氯氧化?试说明氧化工艺中掺氯的主要优点。
问答题 为什么水汽氧化生成的氧化层质量不如干氧氧化层?工艺中采用什么办法来改善其氧化层质量?
问答题 试说明热氧化法的两种基本方法及每种方法的生长机理(或过程),并比较两种方法的主要异同点。