问答题
为什么在相同工艺条件和相同几何尺寸下NMOS管速度要高于PMOS管？如果相同栅长的N管和P管要达到相同的速度，理论上N管和P管要满足什么条件？
因为NMOS管的导电沟道是由带负电的电子累积而成，而PMOS管的导电沟道是由带正电的空穴累积而成，由于电子的迁移率大约是......
(↓↓↓ 点击下方‘点击查看答案’看完整答案 ↓↓↓)
问答题 简述CMOS工艺的基本工艺流程（以1×poly，2×metal N阱为例）。
问答题 试述 “鸟嘴”效应是如何产生的？它对MOS器件有什么影响？
问答题 列举两种集成电路制造中的器件隔离结构，并比较其优缺点。
