问答题
试说明CMOS工艺在硅片上形成氧化物的主要方法，以及他们间的本质区别。
硅片上的氧化物有许多种方法产生：热生长和淀积，包括：热氧化法、CVD、热分解淀积法、阳极氧化法、反应溅射法等。
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问答题 CMOS工艺中为什么要形成侧墙？在哪一个工艺环节形成及为什么？并说明其形成步骤及主要作用。
问答题 什么是阱？CMOS工艺中阱的作用是什么？试说明CMOS双阱工艺中的阱是如何形成的？
问答题 试说明NMOS和PMOS的源漏是如何形成的及为什么？
