单项选择题
NMOS器件的衬底是（）型半导体。
A.N型 B.P型 C.本征型 D.耗尽型
单项选择题 当NMOS器件工作在饱和区时，沟道出于（）状态。
单项选择题 在短沟道MOS器件中，当器件工作在饱和区，源漏电压升高，会使源漏电流（）
单项选择题 当有一反向偏置电压加在衬底和源之间时，耗尽区加宽，使得阈值电压（）
