单项选择题
集成电路制造工艺中，以下对氧化速率没有影响的因素是（）。
A.温度B.厚度C.硅晶向D.掺杂
单项选择题 集成电路制造工艺中，以下不是热氧化方法的是（）。
单项选择题 集成电路制造工艺中，二氧化硅膜不能用于（）。
单项选择题 以下对集成电路版图设计中几何设计规则描述不正确的是（）。
