填空题
控制湿法腐蚀的主要参数有（）、（）、（）、（）等。
腐蚀液浓度；腐蚀时间；腐蚀液温度；溶液的搅拌方式
填空题 光刻中影响甩胶后光刻胶膜厚的因素有（）、（）、（）、（）。
填空题 常规硅集成电路平面制造工艺中光刻工序包括的步骤有（）、（）、（）、（）、（）、（）、（）等。
填空题 特大规模集成电路（ULIC）对光刻的基本要求包括（）、（）、（）、（）、（）等五个方面。
