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单项选择题
以下不是II-VI族半导体的制备方法的是（）。
A.升华法
B.移动加热法
C.垂直布里奇曼法
D.液封提拉法 -
单项选择题
对于II-VI族半导体描述错误的是（）。
A.有毒
B.直接带隙半导体
C.有闪锌矿和纤锌矿两种结构
D.禁带宽度随着原子序数的增加而增加 -
单项选择题
以下对于GaN描述错误的是（）。
A.可以制备成高频和大功率器件
B.是宽禁带半导体，可以生长在SiC上
C.高载流子迁移率
D.霍尔迁移率随着温度的增加而增加
