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单项选择题
背面破损：芯片厚度≤280um，背崩宽度Y大于1/2芯片厚度，芯片厚度＞280um，背崩宽度Y＞（）um。
A.120um
B.130um
C.140um
D.150um -
单项选择题
背面破损：背崩高度Z大于（）芯片厚度。
A.2/3
B.1/3
C.3/4
D.1/2 -
单项选择题
铝层不良：压区面积小于原设计的（）或没有外文保护层。
A.2/3
B.1/2
C.3/4
D.1/4
