单项选择题
以下对于直拉生长描述错误的是（）。
A.重装料CZ法可以连续拉晶3-4根，但是有坩埚破裂的风险
B.连续直拉法制备出的硅晶体电阻率相对比较均匀，但是掺镓除外
C.连续直拉法拉出的硅晶体含氧和碳杂质均浓度低，晶体质量高
D.连续直拉法可以在晶体生长过程中使熔体的液面保持恒定
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单项选择题
在直拉硅生长过程中，熔体出现对流，以下对于对流的描述错误的是（）。
A.晶体旋转和坩埚旋转都会产生强制对流
B.表面张力会产生热对流
C.磁性直拉法可以通过外加磁场在一定程度上抑制对流
D.温度差会产生热对流 -
单项选择题
不可能存在于直拉硅中的杂质和缺陷有（）。
A.晶界
B.Cu杂质
C.位错
D.Fe杂质 -
单项选择题
关于金属硅，以下描述错误的是（）。
A.电子级高纯多晶硅达到9~10个“9”
B.西门子法的优点是产量大、质量高，但是成本高
C.西门子法中三氯氢硅的提纯可以采用精馏提纯的方法
D.金属硅通过化学提纯得到高纯硅
