单项选择题
在直拉硅生长过程中，熔体出现对流，以下对于对流的描述错误的是（）。
A.晶体旋转和坩埚旋转都会产生强制对流
B.表面张力会产生热对流
C.磁性直拉法可以通过外加磁场在一定程度上抑制对流
D.温度差会产生热对流
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单项选择题
不可能存在于直拉硅中的杂质和缺陷有（）。
A.晶界
B.Cu杂质
C.位错
D.Fe杂质 -
单项选择题
关于金属硅，以下描述错误的是（）。
A.电子级高纯多晶硅达到9~10个“9”
B.西门子法的优点是产量大、质量高，但是成本高
C.西门子法中三氯氢硅的提纯可以采用精馏提纯的方法
D.金属硅通过化学提纯得到高纯硅 -
单项选择题
关于锗材料，以下描述正确的是（）。
A.锗材料是稀有元素，得到高纯锗需要先制备锗精矿
B.硅材料在自然界中非常丰富，存在天然的晶体硅
C.制备金属锗最难去除的杂质是金属杂质
D.纯度：太阳电池级多晶硅>电子级多晶硅
