多项选择题
热氧化前硅片厚100微米，氧化后二氧化硅的厚度为100微米，此时下列正确的是（）
A.被氧化了44微米的硅
B.被氧化了56微米的硅
C.剩余的硅与生成的二氧化硅总的厚度和为144微米
D.剩余的硅与生成的二氧化硅总的厚度和为156微米
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以下哪些工艺会消耗硅片自身的硅（）
A.热氧化
B.掺氯氧化
C.干氧氧化
D.化学沉积 -
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A.作为器件的保护层和钝化层
B.掺杂掩蔽膜
C.隔离
D.元器件的组成部分 -
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A.晶体
B.非晶体
C.难溶于水
D.能用HF腐蚀
