单项选择题
以下对于II-VI族半导体描述错误的是（）。
A.熔点随着原子序数的增加而增加
B.其导电类型可以通过改变气相的分压来改变
C.离子注入可以抑制自补偿效应
D.碲化镉具有较高的吸光系数，可以制备太阳电池
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单项选择题
以下对于GaN（氮化镓）描述错误的是（）。
A.P型掺杂困难
B.可以用熔体法或者气相法生长
C.外延生长存在晶格失配的问题
D.能带宽度会随着温度变化 -
单项选择题
以下对于SiC性质描述错误的是（）。
A.硬度高，耐磨性好
B.具有非常高的击穿电场，相比较硅具有更高的耐压能力和电流密度
C.容易得到均匀、低缺陷密度的高纯晶体
D.具有很高的电导率 -
单项选择题
以下对于重掺磷技术的难点描述错误的是（）。
A.易挥发，高浓度磷原子不能掺入硅熔体
B.磷的分凝系数过高，导致轴向掺杂不均匀
C.高浓度磷容易造成组分过冷，导致多晶
D.高浓度磷掺入的微缺陷难以准确显示
