相关考题
-
单项选择题
NMOS是在（）阱形成的（）沟道的MOSFET晶体管。
A.P阱，P沟
B.P阱、N沟
C.N阱、N沟
D.N阱、P沟 -
单项选择题
在集成电路加工制造中，通常所指前道工艺为（）
A.集成电路制造（晶圆加工）
B.集成电路封装
C.集成电路测试
D.集成电路设计 -
单项选择题
在做集成电路的多晶硅电容设计时，要计算每个电容的容值，那么电容的面积大小是怎样计算的？（）
A.第一层多晶硅的面积
B.第二层多晶硅的面积
C.二层多晶硅重叠后的面积
