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单项选择题
NMOS源漏的掺杂类型分别为（）
A.P+、P+
B.P+，N+
C.N+，N+
D.N+，P+ -
单项选择题
NMOS是在（）阱形成的（）沟道的MOSFET晶体管。
A.P阱，P沟
B.P阱、N沟
C.N阱、N沟
D.N阱、P沟 -
单项选择题
在集成电路加工制造中，通常所指前道工艺为（）
A.集成电路制造（晶圆加工）
B.集成电路封装
C.集成电路测试
D.集成电路设计
