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单项选择题
在较先进的集成电路制造工艺中，通常采（）来实现掺杂。
A.刻蚀
B.离子注入
C.光刻
D.金属化 -
单项选择题
NMOS源漏的掺杂类型分别为（）
A.P+、P+
B.P+，N+
C.N+，N+
D.N+，P+ -
单项选择题
NMOS是在（）阱形成的（）沟道的MOSFET晶体管。
A.P阱，P沟
B.P阱、N沟
C.N阱、N沟
D.N阱、P沟
