单项选择题
以下对于碳化硅性质描述错误的是（）。
A.可以用物理气相传输法制备SiC单晶
B.C面的氧化速率比Si面高很多
C.无论哪种生长方式，6H-SiC都最容易生长
D.一般用SiC体单晶或者蓝宝石作为衬底制备SiC薄膜
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单项选择题
以下对于氧化锌描述错误的是（）。
A.可用气相法或者水热法制备
B.是非常稳定的纤锌矿结构，耐高温高压
C.P型难得
D.本征为高阻半导体 -
单项选择题
以下对于ZnO描述错误的是（）。
A.原料比较稀少
B.外延生长温度低
C.发光效率高
D.器件工作温度高 -
单项选择题
以下不是II-VI族半导体的制备方法的是（）。
A.升华法
B.移动加热法
C.垂直布里奇曼法
D.液封提拉法
