单项选择题
以下哪种方法不能减小CMOS反相器的传播延时？（）
A.增大输入电压Vin
B.减小扩散电容和互连线的电容
C.适当增加晶体管的W/L
D.适当增大VDD
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单项选择题
关于一对串联反相器中的寄生电容，电容的大小随着工艺尺寸的缩小而增加的是（）。
A.扇出的栅电容CG3和CG4
B.连线电容CW
C.扩散电容CDB1和CDB2
D.栅漏电容CGD12 -
单项选择题
随着电源电压的降低，反相器在过渡区的增益（）。
A.不确定
B.减小
C.增大
D.不变 -
单项选择题
关于CMOS反相器的开关阈值，下列说法错误的是（）。
A.开关阈值取决于PMOS和NMOS管相对驱动强度的比
B.一般希望开关阈值处于电压摆幅的中点
C.提高NMOS的驱动强度将使开关阈值趋近于GND
D.增加PMOS或NMOS的宽度使开关阈值分别向电线接地端或电源电压移动
