单项选择题
以下抑制自掺杂的方法不正确的是（）。
A.采用低温外延技术
B.采用背封技术，如生长二氧化硅或者多晶硅
C.采用含卤原子的硅源
D.外延生长前高温加热沉底，表面形成耗尽层
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单项选择题
以下对于直拉硅晶体中的碳杂质描述错误的是（）。
A.会促进氧沉淀的形成
B.在机械性质上对硅晶体有益
C.在现在的制造技术中浓度一般小于1016每立方厘米
D.一般处于替位态 -
单项选择题
以下对于直拉硅晶体中的氧杂质描述错误的是（）。
A.过饱和会形成氧沉淀，影响硅晶体的电学性质
B.主要来源于坩埚的污染
C.是直拉硅中浓度最高的杂质
D.对于硅晶体而言完全是有害杂质，需要去除 -
单项选择题
以下对于直拉生长描述错误的是（）。
A.重装料CZ法可以连续拉晶3-4根，但是有坩埚破裂的风险
B.连续直拉法制备出的硅晶体电阻率相对比较均匀，但是掺镓除外
C.连续直拉法拉出的硅晶体含氧和碳杂质均浓度低，晶体质量高
D.连续直拉法可以在晶体生长过程中使熔体的液面保持恒定
