单项选择题
下图是短沟增强型NMOS管的一阶手工分析模型的源漏电流-源漏电压关系图，L1、L2和L3三条虚线把晶体管的工作区划分为三个区域（分别用I、II、III表示），它们分别对应线性区（电阻区）、速度饱和区和饱和区。下列工作区名称对应关系正确的是（）。
A.I-线性区，II-饱和区，III-速度饱和区
B.I-速度饱和区，II-饱和区，III-速度饱和区
C.I-截止区，II-速度饱和区，III-饱和区
D.I-线性区，II-速度饱和区，III-饱和区
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多项选择题
下面工艺参数变化会使得NMOS硅栅晶体管的阈值电压升高的有（）。
A.多晶硅和衬底半导体材料之间的功函数差的绝对值增大
B.栅极氧化层厚度变薄（单位面积的栅氧化层电容增大）
C.氧化层中的表面电荷（正电荷）减少
D.在沟道区人工注入p型杂质离子使得单位面积的电荷密度升高 -
单项选择题
下图的版图中NMOS管在（）边，PMOS管在（）边。
A.左，右
B.右，左
C.左，左
D.右，右 -
单项选择题
在下面的晶体管剖面图中依次标出各个编号所指的部位对应的MOS管的结构名称和此晶体管的类型，表述正确的是（）。
A.栅、源/漏区、源/漏区、衬底、NMOS
B.衬底、源/漏区、源/漏区、栅、PMOS
C.栅、源/漏区、源/漏区、衬底、PMOS
D.源/漏区、栅、衬底、源/漏区、NMOS
