问答题
简答题
热生长厚度是2000A的氧化层后，Si-SiO2的界面与原来的硅表面的高度差为多少？为什么？
【参考答案】
氧化中硅消耗的厚度占总氧化物厚度的46%，即意味着每生长1000A的氧化物，就有460A的硅被消耗。
920A
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