单项选择题
以下对于非晶硅薄膜描述错误的是（）。
A.非晶硅与单晶硅的raman谱的峰位不同
B.非晶硅的光吸收系数高于单晶硅，有利于光电转换
C.非晶硅的能带结构与晶体硅相同，禁带宽度均为1.12eV
D.由于非晶硅薄膜中存在比较高的缺陷和局域态密度，通常不能进行掺杂
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单项选择题
以下不是外延硅的主要缺陷（）。
A.位错
B.夹层
C.氧沉淀
D.层错 -
单项选择题
以下对于硅外延生长描述不正确的是（）。
A.生长速率随着气体流量的增加而增大
B.不同的晶向生长速率不同
C.温度影响硅外延生长速率，温度越高外延层的生长速率越高
D.气体和载体的比例影响硅外延生长的速率，存在一个最佳比例生长速率最高 -
单项选择题
以下抑制自掺杂的方法不正确的是（）。
A.采用低温外延技术
B.采用背封技术，如生长二氧化硅或者多晶硅
C.采用含卤原子的硅源
D.外延生长前高温加热沉底，表面形成耗尽层
