欢迎来到财会考试题库网
财会考试题库官网
登录
注册
首页
经济师考试
会计职称考试
统计师考试
审计师考试
保险考试
全部科目
>
大学试题
>
工学
>
电子与通信技术
>
集成电路技术
>
集成电路工艺原理
搜题找答案
填空题
如果淀积的膜在台阶上过度地变薄，就容易导致高的（）、（）或者在器件中产生不希望的（）。
【参考答案】
膜应力；电短路；诱生电荷
点击查看答案
上一题
目录
下一题
相关考题
填空题
在外延工艺中，如果膜和衬底材料（），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（）。
填空题
缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（）、（）、高密度等离子体化学气相淀积和（）。
填空题
淀积膜的过程有三个不同的阶段。第一步是（），第二步是（），第三步是（）。
关注
顶部
微信扫一扫,加关注免费搜题
