多项选择题
CVD的具体方法有（）
A.APCVDB.LPCVDC.PECVDD.LCVD
多项选择题 CVD可以淀积（）
单项选择题 热氧化生长200微米的二氧化硅，氧化前硅片至少多厚（）
单项选择题 界面陷阱电荷解决方法是（）
