单项选择题 热氧化生长200微米的二氧化硅，氧化前硅片至少多厚（）

单项选择题 界面陷阱电荷解决方法是（）

单项选择题 在半导体生产中，常常采用的氧化方式是“干-湿-干”氧化，湿氧氧化的作用是（）