多项选择题
实现CVD工艺保形覆盖的关键因素有（）。
A.表面迁移B.直接入射C.再发射D.到达角
多项选择题 CVD制备SiO2的方法有（）。
多项选择题 金属W（钨）的用途有（）。
多项选择题 下列属于多晶硅薄膜的特性有（）。
