多项选择题
CVD制备SiO2的方法有()。
A.中温LPCVDB.低温APCVDC.低温PECVDD.低温LPCVD
多项选择题 金属W(钨)的用途有()。
多项选择题 下列属于多晶硅薄膜的特性有()。
多项选择题 LPCVD系统与PECVD系统相比,它们的相同点有()。