多项选择题
Si3N4薄膜的用途有（）。
A.浅槽隔离的CMP停止层B.最终钝化膜和机械保护膜C.MOSFETs中的侧墙D.选择性氧化的掩蔽膜
多项选择题 实现CVD工艺保形覆盖的关键因素有（）。
多项选择题 CVD制备SiO2的方法有（）。
多项选择题 金属W（钨）的用途有（）。
