问答题
简述部分离子注入工艺的作用。
①深埋层注入：高能（大于200KEV）离子注入，深埋层的作用：减小衬底横向寄生电阻，控制CMOS的闩锁效应。......
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问答题 简述在先进的CMOS工艺中，离子注入的应用。
问答题 简述离子注入退火目的与方法。
问答题 简述离子注入效应。
