问答题
试说明氧化生长速率的基本定义及其物理含义，并说明影响氧化生长速率的主要工艺参数，及他们对生长速率的主要影响。
氧化生长速率是用于描述氧化物在硅片上生长的快慢。当氧化剂的量足够时，SiO2生长的快慢最终由氧化剂......
(↓↓↓ 点击下方‘点击查看答案’看完整答案 ↓↓↓)
问答题 试给出硅片上的热氧化生长过程的示意图，并说明其中的各物理量的基本含义。
问答题 是说明什么是迪尔—格罗夫模型？试给出迪尔—格罗夫模型两种极限情况的示意图。并说明其物理意义。
问答题 氧化硅的热动力学生长过程中包括哪几个主要过程？并说明每一种过程中的什么因素对氧化生长速率有影响？其中决定因素是什么？
