多项选择题
光刻工艺流程中后烘的作用是（）。
A.消除驻波效应B.蒸发PR中所有有机溶剂C.提高光刻胶和表面的黏附性D.平滑光刻胶侧壁
多项选择题 光刻是集成电路制造最重要的工艺，是因为（）。
单项选择题 现代光刻工艺有10个步骤，其中4个是热处理步骤，下列哪个热处理顺序是正确的？（）
多项选择题 Si3N4薄膜的特性有（）。
