单项选择题
现代光刻工艺有10个步骤，其中4个是热处理步骤，下列哪个热处理顺序是正确的？（）
A.前烘、后烘、打底膜、坚膜B.打底膜、前烘、后烘、坚膜C.预烘、坚膜、前烘、后烘D.打底膜、坚膜、前烘、后烘
多项选择题 Si3N4薄膜的特性有（）。
多项选择题 Si3N4薄膜的用途有（）。
多项选择题 实现CVD工艺保形覆盖的关键因素有（）。
