单项选择题 NMOS器件的衬底是（）型半导体。

单项选择题 当NMOS器件工作在饱和区时，沟道出于（）状态。

单项选择题 在短沟道MOS器件中，当器件工作在饱和区，源漏电压升高，会使源漏电流（）