多项选择题
在STI工艺中，缓冲氧化层和氮化硅采用工艺技术正确的是（）。
A.氮化硅用常压CVD工艺B.氧化层用CVD工艺C.氮化硅用低压CVD工艺D.氧化层用热氧化工艺
多项选择题 1990’s CMOS IC 工艺技术特征是（）。
多项选择题 Stepper的优点有（）。
多项选择题 对非光学曝光表述正确的是（）。
