判断题
半导体器件生产中所制备的二氧化硅薄膜属于无定形二氧化硅。
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判断题 在常规热氧化工艺中干氧氧化的速度最快。
判断题 温度对氧化速率常数A、B都有影响,压强只影响氧化速率常数B。
判断题 硅热氧化形成SiO2体积将增加约1倍。