多项选择题
PVD可以淀积（）
A.半导体B.绝缘体（介质）C.导体D.二氧化硅
多项选择题 CVD的具体方法有（）
多项选择题 CVD可以淀积（）
单项选择题 热氧化生长200微米的二氧化硅，氧化前硅片至少多厚（）
