单项选择题
集成电路生产中，金属薄膜的沉积通常采用（）
A.溅射物理气相沉积 B.蒸发物理气相沉积 C.等离子增强化学气相沉积 D.低压化学气相沉积
单项选择题 现代集成电路制造工艺中，主流掺杂技术为（）
单项选择题 在较先进的集成电路制造工艺中，通常采（）来实现掺杂。
单项选择题 NMOS源漏的掺杂类型分别为（）
