单项选择题
当温度升高时,MOS管的漏极饱和电流将(),亚阈值漏电流将()。
A.上升,下降B.上升,上升C.下降,上升D.下降,下降
单项选择题 亚阈值电流的大小和晶体管的过驱动电压VGS-VT成()关系。
多项选择题 下列参数变化会引起NMOS晶体管阈值电压降低的是()。
多项选择题 根据下图所示的MOS管版图,可知下列几个寄生电容与沟道宽度W成正比的有(粉色为多晶硅层,绿色为有源区层,黑色为接触孔层,深绿色为金属层)()。