相关考题
-
单项选择题
光刻技术中的反刻工艺,通常应用于()的情况。
A.对光刻精度较高
B.光刻图案密度较高
C.光刻的材料易于腐蚀
D.光刻的材料难以腐蚀 -
单项选择题
在CMOS工艺中,最为昂贵的步骤是:()
A.腐蚀
B.离子注入
C.光刻
D.CVD -
判断题
提高光刻最小线宽可以通过提升介质的介电常数实现。
